UV-LED将成照明应用红海揭秘那些实验室中的封装新技术

     UV-LED单个芯片面积小，便于灵活设计；但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求，这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的重要原因之一。因此，随着UV-LED的发展，其封装和系统设计也成为关注的焦点。德国kit大学德国KIT大学的Schneider等提出了一种高功率密度的UV-LED模组，将98个395nm的LED芯片密集封装在陶瓷基板上，可以实现较高的辐射功率密度。最初98个LED芯片通过银胶封装在氧化铝陶瓷基板上，如图所示。单颗LED芯片输入电功率为1.65W，工作电流500mA，结温25℃，输出辐射功率为375mW。98个芯片串联，整个模组的最大输入功率为162W，封装面积为2.11cm2，热功率密度达到59.2W/cm2。风冷条件下的特征测试结果显示，在输入功率